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IPT007N06NATMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 300A, HSOF-8
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| 50+ | CNY31.120 (CNY35.1656) |
| 100+ | CNY27.120 (CNY30.6456) |
| 500+ | CNY26.780 (CNY30.2614) |
| 1000+ | CNY26.430 (CNY29.8659) |
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产品概述
The IPT007N06N is a N-channel Power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.
- Industry‘s lowest R DS(on)
- Highest current capability up to 300A
- Very low package parasitic and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- Enabling very compact design
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
300A
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
750µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001436