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| 5+ | CNY28.460 (CNY32.1598) |
| 50+ | CNY24.470 (CNY27.6511) |
| 100+ | CNY20.480 (CNY23.1424) |
| 500+ | CNY20.030 (CNY22.6339) |
| 1000+ | CNY19.630 (CNY22.1819) |
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产品概述
IPT012N08N5ATMA1 is a 80V, 400A OptiMOSTM 5power-transistor in 8 pin HSOF package. Ideal for high frequency switching and synchronous rectification.
- Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
- Very low on-resistance RDS(on) of 1.2mohm
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
300A
晶体管封装类型
PG-HSOF
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 5
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000953