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IPW60R070P6XKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, 通孔
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| 100+ | CNY37.270 (CNY42.1151) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPW60R070P6XKSA1
库存编号2709900
产品范围CoolMOS P6
也称为IPW60R070P6, SP001114660
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续53.5A
漏源接通状态电阻0.063ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散391W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS P6
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
600V CoolMOS™ P6 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- Halogen free moulded compound
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
53.5A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
391W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.063ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS P6
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00542