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IR2104PBF
双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
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| 50+ | CNY16.850 (CNY19.0405) |
| 100+ | CNY16.090 (CNY18.1817) |
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产品概述
IR2104PBF 是一款高压高速功率MOSFET与IGBT半桥驱动器, 高压侧和低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 并且兼容3.3V逻辑. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在确保最小的驱动器交叉传导. 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT, 高压侧配置下, 工作电压10至600V。
- 浮动通道设计用于自举运作
- 可承受负瞬态电压
- dV/dt免疫
- 欠压锁定
- 兼容3.3, 5, 15V输入逻辑
- 防跨导逻辑
- 内部设置停滞时间
- 高压侧输出与输入同相
- 关断输入可关闭2条通道
- 两条通道具有匹配的传播延迟
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
通孔安装
拉电流
210mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-55°C
输入延迟
680ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
DIP
输入类型
非反向
灌电流
360mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
150°C
输出延迟
150ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.001