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多件: 1
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产品概述
高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高、低压侧参考输出通道。
- 浮动通道设计用于自举运作
- 完全运行到+500V或+600V
- 可承受负瞬态电压 (DV/DT免疫)
- 栅极驱动电源范围为10至20V
- 两个通道的欠压锁定
- 3.3V逻辑兼容
- CMOS施密特触发输入, 具有下拉功能
- 逐周期边沿触发关断逻辑
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 输出与输入同相
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
14引脚
芯片安装
通孔安装
拉电流
2.5A
电源电压最小值
3.3V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
120ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
非隔离
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
PDIP
输入类型
CMOS
灌电流
2.5A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
94ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001134