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IR2113SPBF
芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
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| 25+ | CNY21.070 (CNY23.8091) |
| 50+ | CNY20.440 (CNY23.0972) |
| 100+ | CNY19.800 (CNY22.374) |
| 250+ | CNY19.060 (CNY21.5378) |
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产品概述
IR2113SPBF 是一款高电压高速功率MOSFET与IGBT驱动器, 带独立的高压侧与低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 最低至3.3V. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在实现最小的驱动器交叉传导. 传播延迟相匹配, 以简化在高频应用中的使用. 浮动通道可用于驱动高压侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT, 工作电压高达500或600V.
- 可承受负瞬态电压DV/DT免疫
- 两条通道具有欠压闭锁
- CMOS施密特触发输入, 具有下拉功能
- 逐周期边沿触发关断逻辑
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 输出与输入同相
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
16引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
2A
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
120ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
2A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
94ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000786