IR2130STRPBF

IR2130STRPBF 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 桥式驱动器，具有三个独立的高压侧和低压侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地运算放大器通过外部电流检测电阻器提供电桥电流的模拟反馈。终止所有六个输出的电流跳闸功能也来自该电阻器。漏极开路故障信号可指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉传导降至最低。传播延迟与高频率下的使用相匹配。浮动通道可用于驱动高压侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压高达 600V。

• 浮动通道设计用于自启动操作，可在 +600V 电压下完全工作
• 耐负瞬态电压 dV/dt 免疫，双通道欠压锁定
• 跨导防止逻辑，死区时间为 2.5µs（典型值，TA=25°C）
• 过流关断功能可关闭所有六个独立半桥驱动器
• 所有通道的传播延迟相匹配，兼容 2.5V 逻辑，输出与输入不同相位
• 输出高电平短路脉冲电流最小为 200mA（VO=0V，VIN=0V，PW ≤ 10µs）
• 输出低电平短路脉冲电流为 420mA min（VO=15V，VIN=5V，PW ≤ 10µs）
• 675ns 接通传播延迟 （典型值，VBIAS（VCC、VBS1,2,3）=15V、VS0,1,2,3=VSS、CL=1000pF、TA=25°C）
• 关断传播延迟为 425ns（典型值，CL=1000pF，TA=25°C）
• 28引脚SOIC封装，环境温度范围为-40至125°C