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IRF1010NSTRLPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, 表面安装
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| 500+ | CNY7.290 (CNY8.2377) |
| 1000+ | CNY6.520 (CNY7.3676) |
| 5000+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
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多件: 1
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品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
85A
晶体管封装类型
TO-263AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
180W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.011ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.001