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| 10+ | CNY13.180 (CNY14.8934) |
| 100+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 500+ | CNY8.840 (CNY9.9892) |
| 1000+ | CNY8.760 (CNY9.8988) |
| 5000+ | CNY8.590 (CNY9.7067) |
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产品概述
IRF2807ZPBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 采用最新的处理技术, 可实现极低的导通电阻。该设计具有175°C结温, 快速开关速度, 优秀的重复性雪崩额定值。这些功能确保该器件的高可靠性, 适用于广泛的应用, 例如AC-DC, 消费类全桥, 推-挽式应用。
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dV/dt额定值
- 重复性雪崩可达Tjmax
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
89A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
170W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
9400µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0055