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IRF60DM206
功率场效应管, MOSFET, StrongIRFET™, N通道, 60 V, 130 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF60DM206
库存编号2781110RL
也称为SP001561876
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续130A
漏源接通状态电阻0.0029ohm
晶体管封装类型DirectFET ME
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.7V
功率耗散96W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
IRF60DM206 的替代之选
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产品概述
IRF60DM206 is a DirectFET® N-channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V (Min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 2.2mohm (typ, VGS = 10V, ID = 80A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 130A (max, ID at TC = 25°C)
- Gate-to-source forward leakage is 100nA/-100nA (max, VGS = 20V/VGS = -20V, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.8ohm (typ, TC = 25°C)
- Turn-on delay time is 17ns (typ, VDD = 30V, TJ = 25°C)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
130A
晶体管封装类型
DirectFET ME
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
96W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0029ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.7V
针脚数
8引脚
产品范围
StrongIRFET Series
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000256