打印页面
IRF7103TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
285,780 有货
需要更多？
108125 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
177655 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.590 (CNY5.1867) |
| 50+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
| 250+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 1000+ | CNY2.360 (CNY2.6668) |
| 2000+ | CNY2.150 (CNY2.4295) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY22.95 (CNY25.93 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
IRF7103TRPBF 的替代之选
找到 2 件产品
产品概述
IRF7103TRPBF 是一款双 N 沟道 MOSFET，设计用于气相、红外或波峰焊接技术。通过定制引线框架对其进行了改进，增强了热特性和双芯片能力，使其成为各种功率应用的理想之选。通过这些改进，可在一个应用中使用多个器件，大大减少了电路板空间。
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 表面安装设备
- 动态dV/dt额定值
- 快速开关性能
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id P沟道
3A
漏源导通电阻P沟道
0.11ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
3A
漏源通态电阻N沟道
0.11ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00031