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IRF7103TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 50+ | CNY3.510 (CNY3.9663) |
| 250+ | CNY2.990 (CNY3.3787) |
| 1000+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
| 2000+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 4000+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
| 10000+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7103TRPBF
库存编号2467996RL
也称为SP001562004
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds50V
漏源电压Vds N沟道50V
电流, Id 连续3A
漏源电压Vds P沟道50V
在电阻RDS（上）0.11ohm
连续漏极电流 Id N沟道3A
连续漏极电流 Id P沟道3A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.11ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.11ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
IRF7103TRPBF 的替代之选
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产品概述
IRF7103TRPBF 是一款双 N 沟道 MOSFET，设计用于气相、红外或波峰焊接技术。通过定制引线框架对其进行了改进，增强了热特性和双芯片能力，使其成为各种功率应用的理想之选。通过这些改进，可在一个应用中使用多个器件，大大减少了电路板空间。
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 表面安装设备
- 动态dV/dt额定值
- 快速开关性能
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
50V
电流, Id 连续
3A
在电阻RDS（上）
0.11ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3A
漏源通态电阻N沟道
0.11ohm
漏源导通电阻P沟道
0.11ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
50V
漏源电压Vds P沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
3A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
技术文档 (1)
相关产品
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00031