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IRF7319TRPBF
场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 30V, 6.5A, SOIC-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY13.450 (CNY15.1985) |
| 50+ | CNY7.930 (CNY8.9609) |
| 250+ | CNY5.840 (CNY6.5992) |
| 1000+ | CNY4.300 (CNY4.859) |
| 2000+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY67.25 (CNY75.99 含税)
品項附註
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产品概述
- Generation V Technology
- Ultra low On-Resistance
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
6.5A
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6.5A
漏源通态电阻N沟道
0.023ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000179