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IRF7324TRPBF
双路场效应管, MOSFET, 双P通道, 20 V, 9 A
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7324TRPBF
库存编号2468013RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001570196
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型双P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道-
电流, Id 连续9A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.018ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道9A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.018ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IRF7324TRPBF is a HEXFET® dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.
- Ruggedized design
- Trench technology
- Ultra low ON-resistance
- Low profile
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
9A
在电阻RDS（上）
0.018ohm
连续漏极电流 Id P沟道
9A
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.018ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
双P通道
漏源电压Vds N沟道
-
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005