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IRF7351TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7351TRPBF
库存编号2725900RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001577392
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续8A
在电阻RDS（上）0.0137ohm
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0137ohm
漏源导通电阻P沟道0.0137ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值4V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.0137ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.0137ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
8A
连续漏极电流 Id N沟道
8A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0137ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454