打印页面
IRF7465TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
1,009 有货
需要更多？
1009 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY2.050 (CNY2.3165) |
| 12000+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
包装规格：单件（整卷供应）
最低: 4000
多件: 4000
CNY8,200.00 (CNY9,266.00 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.9A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.28ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5.5V
针脚数
8引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454