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IRF9530NPBF
场效应管, MOSFET, P, TO-220 -100V -14A
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF9530NPBF
库存编号8648603
产品范围HEXFET Series
也称为SP001570634
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续13A
漏源接通状态电阻0.2ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散79W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IRF9530NPBF是一款-100V单P沟道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装。此MOSFET具有极低的单位面积导通电, 额定动态dv/dt, 耐用的快速开关以及全雪崩额定, 功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用。
- 漏极至源极电压: -100V
- 栅极-源极电压: ±20V
- 导通电阻Rds(on)为200mohm
- 功率损耗 Pd 为 79W（25°C）
- 在Vgs -10V和25°C时，漏极连续电流Id为-14A
- 工作结温范围：-55°C至175°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
79W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041