打印页面
IRFB3307ZPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-220AB, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
551 有货
需要更多？
551 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY21.740 (CNY24.5662) |
| 10+ | CNY16.470 (CNY18.6111) |
| 100+ | CNY16.150 (CNY18.2495) |
| 500+ | CNY15.820 (CNY17.8766) |
| 1000+ | CNY15.490 (CNY17.5037) |
| 5000+ | CNY15.160 (CNY17.1308) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY21.74 (CNY24.57 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
IRFB3307ZPBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 增强栅极, 雪崩, 动态dV/dt耐用性能。适用于高效同步整流, 用于SMPS, 硬开关和高频电路。
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
230W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
5800µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003518