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IRFB7730PBF
功率场效应管, MOSFET, HEXFET, N通道, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-220AB, 通孔
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| 500+ | CNY10.490 (CNY11.8537) |
| 1000+ | CNY10.080 (CNY11.3904) |
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最低: 1
多件: 1
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产品概述
IRFB7730PBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 增强栅极, 雪崩, 动态dV/dt耐用性能。StrongIRFET™ 功率MOSFET适用于电池供电电路, 半桥和全桥拓扑, 同步整流器应用, DC-AC逆变器, DC-DC和AC-DC转换器。
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
195A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375mW
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
2600µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003503