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IRFH5302TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.090 (CNY13.6617) |
| 10+ | CNY6.290 (CNY7.1077) |
| 100+ | CNY4.620 (CNY5.2206) |
| 500+ | CNY4.380 (CNY4.9494) |
| 1000+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
| 5000+ | CNY3.560 (CNY4.0228) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY12.09 (CNY13.66 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
2100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
8引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IRFH5302TRPBF 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000389