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| 10+ | CNY22.550 (CNY25.4815) |
| 100+ | CNY16.080 (CNY18.1704) |
| 500+ | CNY14.270 (CNY16.1251) |
| 1000+ | CNY12.460 (CNY14.0798) |
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最低: 1
多件: 1
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产品概述
单N沟道HEXFET®功率MOSFET适用于SMPS, 不间断电源, 高速电源开关, 适用于以及高频电路应用的高效同步整流功能。
- 改良门极, 雪崩与动态dv/dt耐用性
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强体二极管dV/dt与dI/dt功能
- 经过优化,可从分销伙伴那里获得最广泛的供应
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 正常水平:针对10V栅极驱动电压进行优化
- 工业标准的表面安装电源封装
- 高电流承载能力封装(高达240A,取决于芯片尺寸)
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
240A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
380W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1250µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
7引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IRFS3004TRL7PP 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001