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IRFS4229TRLPBF
功率场效应管, MOSFET, PDP 开关, N通道, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品概述
HEXFET®功率MOSFET是专门为等离子显示面板的维持、能量恢复和通过开关应用而设计的。它的特点是低EPULSE等级，以减少PDP维持、能量恢复和通过开关应用中的功率耗散。
- 先进的工艺技术
- 低QG, 快速响应
- 高重复性峰值电流能力, 高可靠运行
- 下降&上升时间非常短, 快速开关
- 175°C的工作结点温度，提高了耐用性
- 重复性雪崩能力, 确保可靠性
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
45A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.048ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001