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产品概述
IRFU3607PBF是一款HEXFET®单N沟道功率MOSFET, 提供完全表征电容和雪崩SOA。适用于高效同步整流, 例如SMPS, 硬开关和高频电路应用。
- 改良门极, 雪崩与动态dv/dt耐用性
- 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
56A
晶体管封装类型
TO-251AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
140W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
7340µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002