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IRL40T209ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 300 A, 720 µohm, HSOF, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY54.050 (CNY61.0765) |
| 10+ | CNY38.820 (CNY43.8666) |
| 100+ | CNY31.000 (CNY35.030) |
| 500+ | CNY22.840 (CNY25.8092) |
| 1000+ | CNY21.600 (CNY24.408) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY54.05 (CNY61.08 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRL40T209ATMA1
库存编号3267855
产品范围StrongIRFET
也称为IRL40T209, SP001648026
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续300A
漏源接通状态电阻720µohm
晶体管封装类型HSOF
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散500W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围StrongIRFET
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
产品概述
IRL40T209ATMA1 是 IRL40T209 StrongIRFET™ IR MOSFET。潜在应用包括有刷电机驱动应用、BLDC 电机驱动应用、电池供电电路、半桥和全桥拓扑结构、同步整流器应用、谐振模式电源、OR-ing 和冗余电源开关、DC/DC 和 AC/DC 转换器以及 DC/AC 逆变器。
- 改进了栅极和雪崩坚固性
- 完全特性化的电容和雪崩 SOA
- 提高了 ID 额定值
- 连续耗尽电流为 586A（最大值，VGS=10V，TC=25°C（硅限制）
- 脉冲漏极电流为 1200A（TC = 25°C），栅源电压范围为 -20 至 20V（TC = 25°C）
- 功率耗散为 500W（TC = 25°C）
- 关断延迟时间为 190ns（典型值，VDD=20V，VGS=4.5V，ID=30A，RG，ext=2.7 ohm）
- 上升时间为 230ns（典型值，VDD=20V，VGS=4.5V，ID=30A，RG，ext=2.7ohm）
- 开关电流为 100nC（VDD=20V，ID=100A，VGS=0 至 4.5V）
- 工作和存储温度范围为 -55 至 175°C，PG-HSOF-8 封装
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
300A
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
720µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
StrongIRFET
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001149