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IRLML6402TRPBF
MOSFET晶体管, P沟道, 3.7A, 20V, 65 mohm, 1.3W, SOT-23
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 50+ | CNY0.948 (CNY1.0712) |
| 250+ | CNY0.890 (CNY1.0057) |
| 1000+ | CNY0.715 (CNY0.808) |
| 3000+ | CNY0.570 (CNY0.6441) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRLML6402TRPBF
库存编号9103503RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001552740
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续3.7A
漏源接通状态电阻0.065ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值550mV
功率耗散1.3W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- 0.01W/°C线性降额因子
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.7A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.065ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
550mV
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
MSL
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000091