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IRS21864STRPBF
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10 V至20 V电源, 4 A输出, 170 ns延迟, NSOIC-14
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY10.390 (CNY11.7407) |
| 50+ | CNY10.320 (CNY11.6616) |
| 100+ | CNY10.240 (CNY11.5712) |
| 500+ | CNY10.160 (CNY11.4808) |
| 1000+ | CNY10.080 (CNY11.3904) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品概述
IRS21864STRPBF is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high-side and low-side referenced output channel. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Fully operational to +600V
- Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
- Gate drive supply range from 10V to 20V
- Undervoltage lockout for both channels
- 3.3V and 5V logic compatible rage
- Matched propagation delay for both channels
- Logic and power ground +/- 5V offset
- Lower di/dt gate driver for better noise immunity
- SO14N package, ambient temperature range from -40 to 125°C
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
14引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
4A
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
170ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
NSOIC
输入类型
非反向
灌电流
4A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
170ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001