打印页面
IRS21867STRPBF
IGBT驱动器, 高压侧和低压侧, 4A, 10V至20V, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
7,424 有货
2,500 您现在可以预订货品了
7424 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY8.750 (CNY9.8875) |
| 250+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
| 500+ | CNY8.000 (CNY9.040) |
| 1000+ | CNY7.710 (CNY8.7123) |
| 2500+ | CNY7.130 (CNY8.0569) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY875.00 (CNY988.75 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
IRS21867STRPBF是一款高压高速功率MOSFET与IGBT驱动器, 具有独立的高压侧和低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构. 低VCC运行适用于电池供电应用. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 并且兼容3.3V逻辑. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在确保最小的驱动器交叉传导. 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT, 高压侧配置下, 工作电压高达600V.
- 浮动通道设计用于自举运作
- 可承受负瞬态电压, DV/DT免疫
- 低VCC运行
- 两条通道具有欠压闭锁
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 低DI/DT栅极驱动器, 增强抗噪能力
- 逻辑与电源接地±5V失调
警告
静电敏感设备, 在处理设备时请采取适当的防护措施.
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
-
灌电流
4A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
170ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
驱动器封装类型
SOIC
芯片安装
表面安装
拉电流
4A
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
170ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000218