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IRSM005-301MHTR
智能功率模块 (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
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1990 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY33.240 (CNY37.5612) |
| 10+ | CNY22.040 (CNY24.9052) |
| 25+ | CNY20.170 (CNY22.7921) |
| 50+ | CNY18.340 (CNY20.7242) |
| 100+ | CNY16.510 (CNY18.6563) |
| 500+ | CNY14.790 (CNY16.7127) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRSM005-301MHTR
库存编号4335313
也称为SP001540888, IRSM005-301MHTR
技术数据表
IPM 电源装置MOSFET
额定电压 (Vces / Vdss)100V
电流值 (Ic / Id)30A
隔离电压-
IPM 外壳类型PQFN
IPM系列CIPOS Nano
产品范围CIPOS Nano Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRSM005-301MHTR is a general purpose half-bridge with an integrated gate driver. It is a general-purpose building block suitable for a variety of low-voltage applications where power density is of critical importance. Typical examples would be advanced motor drives, DC-to-AC and DC to DC converters.
- Package with low thermal resistance and minimal parasitics
- 16mohm typ low on-resistance HEXFETs
- Undervoltage lockout on Vcc and Vbs
- Independent gate drive in phase with logic input
- Gate drive supply range from 10V to 20V
- Propagation delay matched to defined spec
- 3.3V, 5V and 15V logic input compatible
- 27 pin 7x8mm PQFN package
技术规格
IPM 电源装置
MOSFET
电流值 (Ic / Id)
30A
IPM 外壳类型
PQFN
产品范围
CIPOS Nano Series
额定电压 (Vces / Vdss)
100V
隔离电压
-
IPM系列
CIPOS Nano
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423911
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012