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ISG0616N10NM5HSCATMA1
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 100 V, 139 A, 4000 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号ISG0616N10NM5HSCATMA1
库存编号4486609RL
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为ISG0616N10NM5HSC, SP005754001
技术数据表
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号ISG0616N10NM5HSCATMA1
库存编号4486609RL
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为ISG0616N10NM5HSC, SP005754001
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道139A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道4000µohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型WHITFN-U01
针脚数10引脚
耗散功率N沟道167W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
10引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS 5 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
139A
漏源通态电阻N沟道
4000µohm
晶体管封装类型
WHITFN-U01
耗散功率N沟道
167W
工作温度最高值
175°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000017