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ISZ113N10NM5LF2ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号ISZ113N10NM5LF2ATMA1
库存编号4313168
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为ISZ113N10NM5LF2, SP005987894
技术数据表
4,207 有货
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4207 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.530 (CNY20.9389) |
| 10+ | CNY12.700 (CNY14.351) |
| 100+ | CNY9.040 (CNY10.2152) |
| 500+ | CNY7.270 (CNY8.2151) |
| 1000+ | CNY6.710 (CNY7.5823) |
| 5000+ | CNY6.700 (CNY7.571) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY18.53 (CNY20.94 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号ISZ113N10NM5LF2ATMA1
库存编号4313168
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为ISZ113N10NM5LF2, SP005987894
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续63A
漏源接通状态电阻0.0113ohm
晶体管封装类型TSDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.9V
功率耗散100W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
63A
晶体管封装类型
TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0113ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.9V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 5 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001