打印页面
REFDR3KIMBGSIC2MATOBO1
参考设计板，1ED3122MC12H，IMBG120R040M2H，隔离栅极驱动器，SiC MOSFET
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
1 有货
需要更多？
1 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4,420.710 (CNY4,995.4023) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY4,420.71 (CNY4,995.40 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号REFDR3KIMBGSIC2MATOBO1
库存编号4412438
也称为REFDR3KIMBGSIC2M, SP005990399
技术数据表
硅芯制造商Infineon
硅芯号1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
套件应用类型电机驱动器
应用系统子类型隔离栅极驱动器，SiC MOSFET
内核架构-
内核子架构-
硅芯系列号-
套件内容参考设计板1ED3122MC12H，IMBG120R040M2H
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
REFDR3KIMBGSIC2MATOBO1 is an upgraded inverter and gate driver board developed for servo motor and drive applications. Designed to evaluate the CoolSiC™ MOSFET 1200 V Generation 2 in TO-263-7 package, features IMBG120R040M2H as the main component for the 3-phase inverter board. The driver circuit incorporates the EiceDRIVER™ compact single-channel isolated gate driver, 1ED3122MC12H, with a Miller clamp function.
- 3-phase servo motor with integrated drive
- CoolSiC™ MOSFET 1200 V, 40mohm G2
- EiceDRIVER™ Compact, 10A, 5.7KV (rms)
- Insulated metallic substrate (IMS) PCBs
- Input voltage 350VDC to 800VDC and PCB diameter 110mm
- Output voltage 220VAC to 480VAC, output power of 4.2KW
- State-of-the-art Infineon technology
- Compacter design and PCBs with high thermal conductivity
- Passive cooling without cooling fans
- Overcurrent detection circuit and current sampling with isolated amplifier
技术规格
硅芯制造商
Infineon
套件应用类型
电机驱动器
内核架构
-
硅芯系列号
-
产品范围
-
硅芯号
1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
应用系统子类型
隔离栅极驱动器，SiC MOSFET
内核子架构
-
套件内容
参考设计板1ED3122MC12H，IMBG120R040M2H
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：84733020
US ECCN:3A225
EU ECCN:3A225
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：1.2