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S25FL064LABMFV013
闪存, 串行NOR, 64 Mbit, 8M x 8位, QPI, SPI, SOIC, 8 引脚
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|---|---|
| 1+ | CNY13.630 (CNY15.4019) |
| 10+ | CNY13.330 (CNY15.0629) |
| 25+ | CNY13.010 (CNY14.7013) |
| 50+ | CNY12.700 (CNY14.351) |
| 100+ | CNY12.380 (CNY13.9894) |
| 250+ | CNY12.080 (CNY13.6504) |
| 500+ | CNY11.760 (CNY13.2888) |
| 1000+ | CNY11.450 (CNY12.9385) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25FL064LABMFV013
库存编号3257348
也称为SP005661113, S25FL064LABMFV013
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度64Mbit
记忆配置8M x 8位
接口QPI, SPI
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
时钟频率最大值108MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
S25FL064LABMFV013是一款采用8引脚SOIC封装的S25FL系列3V专用SPI闪存。该产品兼具高密度存储特性与灵活快速的性能，可满足各类移动及嵌入式应用需求，为空间、信号连接及功耗受限的系统提供理想存储解决方案。该存储器在灵活性和性能方面远超普通串行闪存设备。适用于代码影射至RAM、直接执行代码（XIP）以及存储可重新编程数据。
- 64Mb 密度
- 浮栅工艺技术
- 108MHz SDR速度
- 65nm浮栅技术
- 100,000 次程序擦写循环，最低
- 20年数据保留期（最低要求）
- 单电源供电，CMOS I/O工作电压范围2.7V至3.6V
- 工业温度范围: -40°C到+105°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
8M x 8位
IC 外壳 / 封装
SOIC
时钟频率最大值
108MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
64Mbit
接口
QPI, SPI
针脚数
8引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:3B991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001