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|---|---|
| 1+ | CNY23.830 (CNY26.9279) |
| 10+ | CNY22.350 (CNY25.2555) |
| 25+ | CNY21.660 (CNY24.4758) |
| 50+ | CNY21.160 (CNY23.9108) |
| 100+ | CNY20.660 (CNY23.3458) |
| 250+ | CNY19.970 (CNY22.5661) |
| 500+ | CNY19.490 (CNY22.0237) |
| 1000+ | CNY18.990 (CNY21.4587) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25FL128LAGMFV010
库存编号2771141
也称为SP005653807, S25FL128LAGMFV010
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度128Mbit
记忆配置16M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S25FL128LAGMFV010 是一款 SPI 多 I/O、3.0V、FL-L 闪存。它通过串行外设接口连接到主机系统。它支持传统的 SPI 单位串行输入和输出,以及可选的两位和四位宽四通道 I/O 和四外设接口命令。此外,QIO 和 QPI 还有双倍数据速率读取命令,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。在更高的时钟速率支持下,使用四通道命令,指令读取传输速率可媲美甚至超过传统的并行接口、异步、NOR 闪存存储器,同时大幅减少信号数量。它具有高密度、灵活性以及各种移动或嵌入式应用所需的快速性能。为空间、信号连接和电源有限的系统提供了理想的存储解决方案。它是代码阴影到 RAM、直接执行代码和存储可重复编程数据的理想选择。
- 128Mb 密度、65 nm浮栅工艺技术、133MHz 速度
- 时钟极性和相位模式 0 和 3
- 指令普通、快速、双 I/O、四 I/O、双 O、四 O、DDR 四 I/O
- 模式突发包络、连续 (XIP)、QPI、程序暂停和恢复
- 串行闪存可发现参数 (SFDP), 用于配置信息
- 统一 4KB 扇区擦除、统一 32KB 半块擦除、统一 64KB 块擦除
- 芯片擦除、擦除暂停和恢复
- 最少 100,000 次程序擦除循环,最少 20 年数据保存期
- 电源电压范围为 2.7V 至 3.6V,符合 AEC-Q100 3 级标准
- 8 引脚 SOIC 封装,工业及以上温度范围 -40°C 至 +105°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
16M x 8位
IC 外壳 / 封装
SOIC
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
128Mbit
接口
SPI
针脚数
8引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.025401