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S25FL128SAGNFI000
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 128 Mbit, 16M x 8位, SPI, WSON-EP, 8 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY24.400 (CNY27.572) |
| 10+ | CNY23.030 (CNY26.0239) |
| 25+ | CNY22.550 (CNY25.4815) |
| 50+ | CNY22.000 (CNY24.860) |
| 100+ | CNY21.600 (CNY24.408) |
| 250+ | CNY20.960 (CNY23.6848) |
| 500+ | CNY20.560 (CNY23.2328) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25FL128SAGNFI000
库存编号2768018
也称为SP005650819, S25FL128SAGNFI000
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度128Mbit
记忆配置16M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装WSON-EP
针脚数8引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
S25FL128SAGNFI000 是一款采用 8 引脚 WSON-EP 封装的 S25FL 3V 串行外设接口 (SPI) 闪存。
- 128Mb 密度
- 65 nm MIRRORBIT™ 工艺技术
- 133MHz 速度
- 具有多功能 I/O 的 CMOS 3.0V 内核
- 带多 I/O 的 SPI
- 最少 100,000 次程序擦除循环
- 数据至少保存 20 年
- 内核电源电压范围为 2.7V 至 3.6V
- 区块保护和高级扇区保护（ASP）功能
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
16M x 8位
IC 外壳 / 封装
WSON-EP
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
128Mbit
接口
SPI
针脚数
8引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00801