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S25FS512SAGNFI011
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, SPI, WSON-EP, 8 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
| 1+ | CNY78.000 (CNY88.140) |
| 10+ | CNY72.710 (CNY82.1623) |
| 25+ | CNY70.520 (CNY79.6876) |
| 50+ | CNY68.980 (CNY77.9474) |
| 100+ | CNY67.410 (CNY76.1733) |
| 250+ | CNY62.630 (CNY70.7719) |
| 500+ | CNY60.040 (CNY67.8452) |
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25FS512SAGNFI011
库存编号2772765
也称为SP005660815, S25FS512SAGNFI011
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度512Mbit
记忆配置64M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装WSON-EP
针脚数8引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值1.7V
电源电压最大值2V
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围1.8V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S25FS512SAGNFI011是一款SPI多输入/输出、1.8V、512Mb（64MB）FS-S闪存。该闪存采用MIRRORBIT™技术——通过椭圆架构在每个存储阵列晶体管中存储两个数据位——显著提升编程与擦除性能，并采用65nm光刻工艺。FS-S椭圆架构配备页面编程缓冲区，支持单次操作编程高达512字节，相较前代SPI编程/擦除算法实现更高效的编程与擦除。FS-S系列产品兼具高密度存储容量与灵活快速的性能，满足各类移动及嵌入式应用需求。该产品是空间受限、信号连接有限及功耗受限系统的理想解决方案，特别适用于代码影子存储至RAM、直接执行代码（XIP）以及存储可重编程数据。
- 读取命令：常规/快速/双I/O/四I/O/DDR四I/O，模式：突发环绕/连续（XIP），QPI
- 串行闪存可发现参数和通用闪存接口（CFI），用于配置信息
- 100,000 次程序擦写循环，最低
- 20年数据保留期（最低要求）
- 1024字节一次性可编程（OTP）存储阵列
- 状态寄存器位用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护
- 先进扇区保护（ASP），通过启动代码或密码控制的独立扇区保护
- 电源电压范围: 1.7V到2.0V
- 8引脚WSON封装
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
64M x 8位
IC 外壳 / 封装
WSON-EP
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
1.7V
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
1.8V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
512Mbit
接口
SPI
针脚数
8引脚
存取时间
-
电源电压最大值
2V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002066