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S25HS01GTFABHI030
闪存, 串行NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号S25HS01GTFABHI030
库存编号3935547
产品范围1.8 串行NOR闪存
也称为SP005658821, S25HS01GTFABHI030
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技术数据表
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY124.530 (CNY140.7189) |
| 10+ | CNY113.260 (CNY127.9838) |
| 25+ | CNY105.160 (CNY118.8308) |
| 50+ | CNY101.890 (CNY115.1357) |
| 100+ | CNY100.110 (CNY113.1243) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25HS01GTFABHI030
库存编号3935547
产品范围1.8 串行NOR闪存
也称为SP005658821, S25HS01GTFABHI030
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度1Gbit
记忆配置-
接口SPI
IC 外壳 / 封装BGA
针脚数24引脚
时钟频率最大值166MHz
存取时间-
电源电压最小值1.7V
电源电压最大值2V
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围1.8 串行NOR闪存
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S25HS01GTFABHI030 is a 1.8V SEMPER™ flash quad SPI memory. It features 45-nm MIRRORBIT™ technology that stores two data bits in each memory array cell.
- OTP secure silicon array of 1024 bytes (32 x 32 bytes)
- Legacy block protection for memory array and device configuration
- Advanced sector protection for individual memory array sector based protection
- AutoBoot enables immediate access to the memory array following power-on
- Serial flash discoverable parameters (SFDP) describing device functions and features
- Device identification, manufacturer identification, and unique identification
- 1Gb density
- 166MHz SDR and 102MHz DDR performance
- 24-ball 5 x 5 BGA package
- Industrial temperature range from -40°C to +85°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
-
IC 外壳 / 封装
BGA
时钟频率最大值
166MHz
电源电压最小值
1.7V
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
1.8 串行NOR闪存
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Gbit
接口
SPI
针脚数
24引脚
存取时间
-
电源电压最大值
2V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.014353