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S27KS0642GABHI020
DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8位, 200 MHz, FBGA, 24 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY42.480 (CNY48.0024) |
| 10+ | CNY39.820 (CNY44.9966) |
| 25+ | CNY38.630 (CNY43.6519) |
| 50+ | CNY37.840 (CNY42.7592) |
| 100+ | CNY36.950 (CNY41.7535) |
| 250+ | CNY35.470 (CNY40.0811) |
| 500+ | CNY34.880 (CNY39.4144) |
| 1000+ | CNY34.480 (CNY38.9624) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S27KS0642GABHI020
库存编号3372737
也称为SP005659459, S27KS0642GABHI020
技术数据表
DRAM类型HyperRAM
存储密度64Mbit
记忆配置8M x 8位
时钟频率最大值200MHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数24引脚
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围0
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S27KS0642GABHI020 is a 64MBit, (8M x 8bit), 1.8V HyperBus HYPERRAM Gen 2.0. memory device designed for high-speed and efficient data storage in various applications.
- Pseudo Static RAM (PSRAM) memory type
- HyperBus interface
- 200MHz maximum clock rate
- DDR - transfers data on both edges of the clock
- Data throughput up to 400MBps (3,200Mbps)
- Configurable output drive strength
- 35ns maximum access time (tACC)
- 1.8V VCC power supply range from 1.7V to 2V
- 24-ball Fine Ball Grid Array (FBGA) measuring 6mm x 8mm
- Temperature range from -40 to 85°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
DRAM类型
HyperRAM
记忆配置
8M x 8位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
0
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
64Mbit
时钟频率最大值
200MHz
针脚数
24引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423219
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.010197