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S27KS0642GABHI020
DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8位, 200 MHz, FBGA, 24 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
| 1+ | CNY38.700 (CNY43.731) |
| 10+ | CNY36.160 (CNY40.8608) |
| 25+ | CNY35.030 (CNY39.5839) |
| 50+ | CNY34.290 (CNY38.7477) |
| 100+ | CNY33.440 (CNY37.7872) |
| 250+ | CNY32.030 (CNY36.1939) |
| 500+ | CNY31.470 (CNY35.5611) |
| 1000+ | CNY31.100 (CNY35.143) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S27KS0642GABHI020
库存编号3372737
也称为SP005659459, S27KS0642GABHI020
技术数据表
DRAM类型HyperRAM
存储密度64Mbit
记忆配置8M x 8位
时钟频率最大值200MHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数24引脚
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围0
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S27KS0642GABHI020是一款64Mbit（8M×8bit）、1.8V HyperBus HYPERRAM Gen 2.0存储器器件，专为各类应用中的高速高效数据存储而设计。
- 伪静态RAM（PSRAM）存储器类型
- HyperBus 介面
- 200MHz 最大时钟频率
- DDR - 在时钟的上升沿和下降沿传输数据
- 数据吞吐量高达400MBps（3,200Mbps）
- 可配置输出驱动强度
- 最大访问时间 (tACC) 为 35ns
- 1.8V VCC电源电压范围：1.7V至2.0V
- 24球细间距球栅阵列(FBGA)，尺寸6mm×8mm
- 温度范围从-40到85°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
DRAM类型
HyperRAM
记忆配置
8M x 8位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
0
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
64Mbit
时钟频率最大值
200MHz
针脚数
24引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423219
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.010197