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图片仅用于图解说明,详见产品说明。
技术规格
闪存类型
并行NOR
存储密度
8Mbit
记忆配置
1M x 8位 / 512K x 16位
接口
并行口
封装类型
TSOP
时钟频率最大值
-
存取时间
70ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
存储器容量
8Mbit
闪存配置
1M x 8位 / 512K x 16位
芯片接口类型
并行
IC 外壳 / 封装
TSOP
针脚数
48引脚
时钟频率
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423261
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000809