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S29GL01GS11DHIV10..
闪存, 或非, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行口, FBGA, 64 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY147.550 (CNY166.7315) |
| 10+ | CNY136.880 (CNY154.6744) |
| 25+ | CNY132.630 (CNY149.8719) |
| 50+ | CNY129.360 (CNY146.1768) |
| 100+ | CNY126.200 (CNY142.606) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S29GL01GS11DHIV10..
库存编号2340557
技术数据表
闪存类型并行NOR
存储密度1Gbit
记忆配置64M x 16位
接口并行口
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数64引脚
时钟频率最大值-
存取时间110ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Parallel NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S29GL01GS11DHIV10是一款1GB GL-SMirrorBit®Eclipse™闪存非易失性存储器, 采用65纳米工艺技术制造. 该器件的快速页访问时间快至110ns, 相应的随机访问时间低至90ns. 具有写入缓冲, 每次操作中最多可以编程256字/512字节, 从而比标准编程算法更有效地进行编程. 这使得该器件非常适合需要高密度, 高性能低功耗的嵌入式应用.
- 最高地址部分受保护
- Versatile I/O™ - 宽I/O电压范围, 1.65V至VCC
- 异步32字节页读取
- 暂停与恢复命令, 用于编程与擦除操作
- 状态寄存器, 数据轮询与就绪/忙碌引脚方法来确定设备状态
- 先进的扇区保护 - 每个扇区具有易失性和非易失性保护方法
- 通用闪存接口 (CFI)参数表
- 100000擦除周期 (典型值)
- 数据保留20年(典型值)
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
64M x 16位
IC 外壳 / 封装
FBGA
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Gbit
接口
并行口
针脚数
64引脚
存取时间
110ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423269
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.02268