打印页面
S29GL01GS11TFIV10
闪存, 并行NOR, 1 Gbit, 128M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
385 有货
需要更多？
385 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY146.810 (CNY165.8953) |
| 10+ | CNY137.410 (CNY155.2733) |
| 25+ | CNY133.860 (CNY151.2618) |
| 50+ | CNY130.000 (CNY146.900) |
| 100+ | CNY127.230 (CNY143.7699) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY146.81 (CNY165.90 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S29GL01GS11TFIV10
库存编号3261703
也称为SP005673807, S29GL01GS11TFIV10
技术数据表
闪存类型并行NOR
存储密度1Gbit
记忆配置128M x 8位
接口CFI, 并行
IC 外壳 / 封装TSOP
针脚数56引脚
时钟频率最大值-
存取时间110ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Parallel NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S29GL01GS11TFIV10是一款基于65nm工艺制造的128M×8位、1Gbit容量MIRRORBIT™ Eclipse并行NOR闪存产品。该器件专为需要更高密度、更优性能及更低功耗的嵌入式应用而设计。
- CMOS 3.0V 核心，带多功能 I/O，110ns 随机访问时间，CFI 并行接口
- VIO=1.65V 至 VCC，VCC=2.7V 至 3.6V，最高地址扇区受保护
- 多功能I/O特性，宽I/O电压范围(VIO)：1.65V至VCC，×16数据总线
- 异步32字节页面读取与512字节编程缓冲区
- 支持单字节写入与同字节多程序选项
- 自动错误检查和纠正 (ECC) 内部硬件 ECC，具有单位错误纠正功能
- 支持程序和擦除操作的暂停与恢复命令
- 采用状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定设备状态
- 100,000次编程/擦除循环，20年数据保持，独立1024字节一次性可编程（OTP）阵列带2个可锁定区域
- 56 引脚 TSOP 封装，工业温度范围为 -40 至 85°C
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
128M x 8位
IC 外壳 / 封装
TSOP
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Gbit
接口
CFI, 并行
针脚数
56引脚
存取时间
110ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361