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S29GL01GT10FHI010
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 1 Gbit, 128M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY167.340 (CNY189.0942) |
| 10+ | CNY155.690 (CNY175.9297) |
| 25+ | CNY151.140 (CNY170.7882) |
| 50+ | CNY141.260 (CNY159.6238) |
| 100+ | CNY121.890 (CNY137.7357) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S29GL01GT10FHI010
库存编号2768058
也称为SP005664081, S29GL01GT10FHI010
技术数据表
闪存类型并行NOR
存储密度1Gbit
记忆配置128M x 8位
接口CFI, 并行
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数64引脚
时钟频率最大值-
存取时间100ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Parallel NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S29GL01GT10FHI010是一款基于45nm工艺制造的128M×8位、1Gbit容量MIRRORBIT™ Eclipse并行NOR闪存产品。该器件专为需要更高密度、更优性能及更低功耗的嵌入式应用而设计。
- VIO=VCC=2.7-3.6V（高地址扇区受保护），100ns随机访问时间
- CFI 并行接口
- 异步32字节页面读取
- 512字节编程缓冲区，以页为单位进行编程，最大容量为512字节
- 支持单字节写入与同字节多程序选项
- 自动错误检查和纠正 (ECC) 内部硬件 ECC，具有单位错误纠正功能
- 支持程序和擦除操作的暂停与恢复命令
- 采用状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定设备状态
- 100,000次编程/擦除循环，20年数据保留期，独立2048字节一次性可编程存储器阵列，含4个可锁定区域
- 强化球栅阵列封装（LAA064）尺寸13×11mm，工业温度范围-40至85°C
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
128M x 8位
IC 外壳 / 封装
FBGA
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Gbit
接口
CFI, 并行
针脚数
64引脚
存取时间
100ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009215