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S29JL064J70TFI000
闪存, 并行NOR, 64 Mbit, 8M x 8bit / 4M x 16bit, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
| 1+ | CNY89.280 (CNY100.8864) |
| 10+ | CNY83.550 (CNY94.4115) |
| 25+ | CNY81.180 (CNY91.7334) |
| 50+ | CNY78.680 (CNY88.9084) |
| 100+ | CNY78.480 (CNY88.6824) |
| 250+ | CNY77.340 (CNY87.3942) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S29JL064J70TFI000
库存编号2750430
也称为SP005673999, S29JL064J70TFI000
技术数据表
闪存类型并行NOR
存储密度64Mbit
接口CFI, 并行
IC 外壳 / 封装TSOP
针脚数48引脚
时钟频率最大值-
存取时间70ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Parallel NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S29JL064J70TFI000是一个64MB的CMOS同步读/写闪存，拥有4194304个字，每个16位，或8388608个字节，每个8位。字模式数据出现在DQ15-DQ0，字节模式数据出现在DQ7-DQ0。该器件设计为可以用标准的3VCC电源进行系统内编程，也可以用标准的EPROM编程器进行编程。该器件的访问时间为70ns。标准控制引脚 - 芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）- 控制正常的读和写操作，避免总线竞争问题。该器件的读写功能只需要一个3V的电源。内部产生和调节的电压提供用于编程和擦除操作。
- 标准配置
- 在一个组中执行擦除/编程功能时，可从一个组中连续读取数据
- 读写操作之间的零延迟
- 灵活的银行架构
- 读取可能发生在没有被编程或擦除的三个组中的任何一个组中
- 四个组可按客户分组，以实现理想的组划分
- 同一设备中的顶部和底部引导扇区
- 可以擦除扇区, 任意组合
- 采用0.11µm工艺技术制造
- 安全的硅区 - 额外256字节扇区
- 先进的电源管理电路将非活动期间的耗电量降低到几乎为零
- 与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电源闪存标准相互兼容
- 高性能
- 编程时间 - 使用加速编程功能，典型的7µs/字
- 超低功耗
- 周期耐久性 - 每扇区100万个周期（典型值）
- 数据保留 - 20年 (典型值)
- 支持普通闪存接口
- 擦除暂停/擦除恢复
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
8M x 8bit / 4M x 16bit
IC 外壳 / 封装
TSOP
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
64Mbit
接口
CFI, 并行
针脚数
48引脚
存取时间
70ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004148