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S70FL01GSAGBHIC10
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 1 Gbit, 128M x 8位, SPI, FBGA, 24 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY152.890 (CNY172.7657) |
| 10+ | CNY141.820 (CNY160.2566) |
| 25+ | CNY137.370 (CNY155.2281) |
| 50+ | CNY134.010 (CNY151.4313) |
| 100+ | CNY130.750 (CNY147.7475) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY152.89 (CNY172.77 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S70FL01GSAGBHIC10
库存编号2772807
也称为SP005667949, S70FL01GSAGBHIC10
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度1Gbit
记忆配置128M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数24引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S70FL01GSAGBHIC10 is a 1Gbit (128Mbyte) 3.0V SPI flash memory.
- 1Gbit technology, 65nm MirrorBit process technology
- 133MHz speed, SPI clock polarity and phase modes 0 and 3
- Double data rate (DDR) option, extended Addressing: 32bit address
- Common flash interface (CFI) data for configuration information
- Quad-input page programming (QPP) for slow clock systems
- Minimum 100,000 program-erase cycles, 20 Year minimum Data Retention
- One time program (OTP) array of 2048 bytes
- Core supply voltage range from 2.7V to 3.6V
- I/O supply voltage range from 1.65V to 3.6V
- Industrial temperature range from -40°C to + 85°C, 24-ball BGA package
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
128M x 8位
IC 外壳 / 封装
FBGA
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Gbit
接口
SPI
针脚数
24引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361