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S70FL01GSAGMFI013
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 1 Gbit, 128M x 8位, CFI、SPI, SOIC, 16 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY152.720 (CNY172.5736) |
| 10+ | CNY141.680 (CNY160.0984) |
| 25+ | CNY137.220 (CNY155.0586) |
| 50+ | CNY133.890 (CNY151.2957) |
| 100+ | CNY130.630 (CNY147.6119) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S70FL01GSAGMFI013
库存编号2772809
也称为SP005667975, S70FL01GSAGMFI013
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度1Gbit
记忆配置128M x 8位
接口CFI、SPI
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数16引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S70FL01GSAGMFI013 是一款串行外设接口（SPI）闪存。其安全特性包括：2048 字节一次性编程（OTP）阵列、块保护（通过状态寄存器位控制连续扇区范围的编程/擦除保护）、软硬件控制选项、高级扇区保护（ASP）、由启动代码或密码控制的独立扇区保护。
- CMOS 3.0V 核心，带多输入/输出功能的串行外设接口 (SPI)
- 采用Eclipse™架构的65纳米MirrorBit®技术
- 擦除（0.5Mbytes/s），均匀256kbyte扇区
- 循环耐久性，100,000 次编程擦除循环，最小
- 20年数据保留期（最低要求）
- 内核电源电压范围为 2.7V 至 3.6V
- I/O供电电压范围：1.65V至3.6V
- 133MHz 速度
- 16引脚SO封装
- 工业温度范围: -40°C到85°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
128M x 8位
IC 外壳 / 封装
SOIC
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Gbit
接口
CFI、SPI
针脚数
16引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000638