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S80KS2562GABHI020
DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8位, 200 MHz, FBGA, 24 引脚
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| 25+ | CNY64.470 (CNY72.8511) |
| 50+ | CNY62.990 (CNY71.1787) |
| 100+ | CNY61.610 (CNY69.6193) |
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| 500+ | CNY55.210 (CNY62.3873) |
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产品概述
S80KS2562GABHI020是一款256Mb高速CMOS HYPERRAM™自刷新动态随机存取存储器（DRAM），配备HYPERBUS™接口。其DRAM阵列采用需周期性刷新动态单元的存储结构。 当HYPERBUS™接口主机未对内存进行读写操作时，器件内部的刷新控制逻辑会管理DRAM阵列的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，该DRAM阵列对主机而言如同采用无需刷新即可保持数据的静态单元。因此更准确地称其为伪静态RAM（PSRAM）。 由于DRAM单元在读写事务期间无法刷新，主机需限制突发传输长度以确保内部逻辑能在必要时执行刷新操作。若内存指示需刷新，主机必须控制事务持续时间，并在新事务开始时额外增加初始访问延迟。
- 支持1.8V接口，单端时钟(CK) - 11条总线信号
- 芯片选通信号(CS#)、8位数据总线(DQ[7:0])、硬件复位信号(RESET#)
- 双向读写数据选通信号（RWDS），在写操作期间作为写数据掩码输入
- 所有交易开始时输出刷新延迟指示
- 读取交易期间输出读取数据选通信号
- 200MHz 最大时钟频率，DDR - 在时钟的上升沿和下降沿传输数据
- 数据吞吐量高达400MBps（3,200Mbps），可配置突发特性
- 最大访问时间(tACC)为35ns，待机电流1.55mA(105°C)
- 24-ball FBGA封装
- 工业温度范围: -40°C到85°C
技术规格
DRAM类型
HyperRAM
记忆配置
32M x 8位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
256Mbit
时钟频率最大值
200MHz
针脚数
24引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001