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SPP04N80C3XKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号SPP04N80C3XKSA1
库存编号2443412
也称为SPP04N80C3, SP000683152
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻1.1ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散63W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The SPP04N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features ultra low gate charge. It is designed for high DC bulk voltage and switching Applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Field proven CoolMOS™ quality
- High reliability
- Outstanding performance
- High efficiency and power density
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
63W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
1.1ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003184