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IS42S16160G-7TLI
DRAM, 16M x 16bit, 7ns, LVTTL接口, TSOP-II-54
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| 10+ | CNY52.520 (CNY59.3476) |
| 25+ | CNY51.280 (CNY57.9464) |
| 50+ | CNY48.420 (CNY54.7146) |
| 100+ | CNY45.550 (CNY51.4715) |
| 250+ | CNY44.630 (CNY50.4319) |
| 500+ | CNY43.710 (CNY49.3923) |
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产品信息
制造商产品编号IS42S16160G-7TLI
库存编号2253829
技术数据表
DRAM类型SDR
存储密度256Mbit
记忆配置16M x 16位
时钟频率最大值143MHz
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数54引脚
额定电源电压3.3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
IS42S16160G-7TLI是一款256Mb同步DRAM, 采用流水线架构, 实现高速数据传输。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。256Mb SDRAM被组织成4M x16x4组, 54引脚TSOPII和54-ball BGA。256MB SDRAM是一款高速CMOS, 动态随机存取存储器, 设计用于3.3V Vdd和3.3V Vddq存储器系统, 提供268,435,456 bits。内部配置为4组DRAM, 每组67,108,864 bit, 组织为8192行 x 512列 x 16 bit, 或8192行 x 1024列 x 8bit。256Mb SDRAM提供自动刷新模式, 以及省电, 掉电模式。所有信号都记录在时钟信号CLK的上升沿。所有输入和输出均兼容LVTTL。
- 143MHz 时钟频率
- 7ns 速度
- 完全同步, 所有信号均参考时钟上升沿
- 内部存储区, 用于隐藏行访问/预充电
- 3.3 ±0.3V单电源
- LVTTL接口
- 可设定突发长度 -1, 2, 4, 8, 整页
- 按序或交错可编程突发序列
- 自动刷新 (CBR)
- 自刷新
- 8K刷新周期: 16 ms (A2级), 或64 ms (商业, 工业, A1级)
- 随机列地址每个时钟周期
- 可设置CAS延迟 - 2, 3时钟
- 突发读/写和突发读/单写能力
- 终止突发, 突发停止和预充电命令
技术规格
DRAM类型
SDR
记忆配置
16M x 16位
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
额定电源电压
3.3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
存储密度
256Mbit
时钟频率最大值
143MHz
针脚数
54引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454