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IS61WV102416BLL-10MLI
SRAM, 异步SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, Mini BGA, 48 引脚, 2.4 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 10+ | CNY157.180 (CNY177.6134) |
| 25+ | CNY152.180 (CNY171.9634) |
| 50+ | CNY148.450 (CNY167.7485) |
| 100+ | CNY140.900 (CNY159.217) |
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产品信息
制造商产品编号IS61WV102416BLL-10MLI
库存编号2253840
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度16Mbit
记忆配置1M x 16bit
IC 外壳 / 封装Mini BGA
针脚数48引脚
电源电压最小值2.4V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
IS61WV102416BLL-10MLI is a 16Mbit high speed asynchronous CMOS static RAM organized as 1024K words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.
- Voltage range from 2.4V to 3.6V
- Speed = 8ns for VDD = 3.3V + 5%, speed = 10ns for Vdd = 2.4V - 3.6V
- Multiple centre power and ground pins for greater noise immunity
- Easy memory expansion with (active low) CE and (active low) OE options
- CE (active low) power-down
- Fully static operation: no clock or refresh required
- TTL compatible inputs and outputs
- Data control for upper and lower bytes
- 48 mini BGA (9mm x 11mm) package
- Industrial temperature range from -40°C to +85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
1M x 16bit
针脚数
48引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
存储密度
16Mbit
IC 外壳 / 封装
Mini BGA
电源电压最小值
2.4V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454