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IS66WV51216EBLL-55TLI
SRAM, 伪SRAM, 8 Mbit, 512K x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 2.5 V
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|---|---|
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| 10+ | CNY20.690 (CNY23.3797) |
| 25+ | CNY20.100 (CNY22.713) |
| 50+ | CNY19.650 (CNY22.2045) |
| 100+ | CNY18.980 (CNY21.4474) |
| 250+ | CNY18.460 (CNY20.8598) |
| 500+ | CNY18.010 (CNY20.3513) |
| 1000+ | CNY17.650 (CNY19.9445) |
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产品信息
制造商产品编号IS66WV51216EBLL-55TLI
库存编号2901208
技术数据表
SRAM类型伪SRAM
存储密度8Mbit
记忆配置512K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.5V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (16-Jul-2019)
技术规格
SRAM类型
伪SRAM
记忆配置
512K x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (16-Jul-2019)
存储密度
8Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.5V
额定电源电压
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (16-Jul-2019)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0014