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IXFB210N30P3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, 通孔
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|---|---|
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| 5+ | CNY204.100 (CNY230.633) |
| 10+ | CNY186.810 (CNY211.0953) |
| 50+ | CNY178.260 (CNY201.4338) |
| 100+ | CNY175.800 (CNY198.654) |
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最低: 1
多件: 1
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产品概述
The IXFB210N30P3 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features dynamic dv/dt rating, fast intrinsic rectifier and low drain-to-tab capacitance.
- Fast intrinsic rectifier
- Dynamic dv/dt rating
- Low drain to tab capacitance
- Easy to mount
- Space savings
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
210A
晶体管封装类型
TO-264
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.89kW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
300V
漏源接通状态电阻
0.0145ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01